1998年度卒研題目
題目1〜7 (指導教官: 奥山(克)、奥山(澄))
1 連続蒸着により作製したMIMトンネルダイオード水素ガスセンサ
Pd-Al2O3-Al MIM(Metal Insulator Metal) トンネルダイオードを、真空を破ることなく 連続蒸着で作製し、すぐれた特性のガスセンサをめざす。
2 Pd MIMトンネルダイオード水素ガスセンサの動作機構
Pd MIMトンネルダイオード水素ガスセンサの動作機構の詳細を明らかにする。
3 ケルビン法を用いたガスセンサ
ガス吸着による仕事関数の変化をケルビン法により検出する新しいガスセンサの開発。
4 有機EL素子の電流注入機構
金属電極と有機薄膜間に形成される電位障壁を光電流法により明らかにする。
5 片持梁型水素ガスセンサ
薄いガラス基板にPdを蒸着した片持梁は、水素を吸蔵するとPdが膨張するため偏位する。 この現象を利用したセンサの開発。
6 マイクロマシニングによる小型センサの基礎研究
ホトリソグラフィにより、超小型ガスセンサを作成する基礎研究。
7 非弾性トンネル分光装置の作製
MIMトンネル素子の絶縁体−金属界面に存在する不純物を検出する装置を試作する。

題目8〜12 (指導教官: 松下)
8 ECRプラズマがGe薄膜成長に及ぼす効果
薄膜成長中にプラズマを照射すると電気的・結晶学的特性にどんな影響を与えるか。
9 基板表面の微細構造が滴下した液滴の接触角に及ぼす効果
水滴を基板上に滴下すると、その表面状態に応じて水滴の形が変わる。 半導体デバイスの作製に重要な薄膜や基板の表面状態が様々な処理により どのように変わるか。
10 超純水処理がGaAs(100)基板表面に及ぼす効果
水滴を基板上に滴下すると、その表面状態に応じて水滴の形が変わる。 半導体デバイスの作製に重要な薄膜や基板の表面状態が様々な処理により どのように変わるか。
11 超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察
水滴を基板上に滴下すると、その表面状態に応じて水滴の形が変わる。 半導体デバイスの作製に重要な薄膜や基板の表面状態が様々な処理により どのように変わるか。
12 RFスパッタ法で形成したハイドロキシアパタイト薄膜の基礎物性
歯や骨、歯磨き粉の主成分であるハイドロキシアパタイトの基礎物性はどうか。
1997年度の卒研題目

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