目次  松下浩一(山形大学)の自己紹介   (H19(2007).3.30-更新)

 はじめまして。松下です。略歴:1976年東北大学電子工学科卒業。1978年東北大学大学院電子工学専攻修了。同年、東北大学工学部助手。1986年より山形大学工学部講師、1992年より山形大学工学部電子情報工学科助教授、2001年4月より山形大学工学部電気電子工学科および大学院生体センシング機能工学専攻教授、02年度電気電子工学科学科長。工学博士。マイクロマシニングによるアクチュエータ・センサ開発,結晶性薄膜の低温エピタキシャル成長,接触角測定法による材料表面状態の評価法の開発研究に従事。応用物理学会、電気学会,日本表面科学会正員。02年日本表面科学会東北支部長,02年次世代センサ協議会東北支部副支部長,03年・04年電気学会東北支部山形支所長。縁があり,04年度より山形大学トライアスロン部顧問。現在に至る。

0.1-3 講義紹介(2001年度,2002年度,2003年度,2004年度,2005年度,2006年度,2007年度)    

1.1 個人的な自己紹介     1.2 山形大学教員要覧   1.3 学生募集(小中高生,大学生,社会人)  
1.4 楽し〜いお話    2001年度わくわくサイエンス報告   ののちゃんのDO科学   一円玉   子供の広場   身近な電気の探検隊    キッズ   電気のおもしろ教材   液滴のかたち   ナノテクの扉   貴金属の面白さ   半導体ができるまで

2.1 研究業績  Key Word、キーワード   (1) 研究論文 32  (2) 速報・国際会議・著書・解説 19 
(3) 参考論文(国内会議、学会研究会) 22  (4) 著書 1  (5) 特許 1+(1)  (6) その他,学会の講演など  
2.2 教育活動(指導大学院生(主査)、講義の工夫)  

松下・奥山研メンバー紹介に戻る。     松下・奥山研研究室の目次に戻る。


 

1.1 自己紹介(個人的な内容)

                         松下の目次に戻る。

 生まれ・育ち: 幼き頃、 海上保安部 勤務の親父の転勤に合わせて、日本国中を転々とす。

        {室蘭(北海道)生まれのどさんこ、鳥羽(三重)、横浜、田辺

        (和歌山)、秋田、釧路(5年;北海道)、広島、塩釜(宮城)}、

        その間、釧路湖陵高校、広島国泰寺高校、仙台第二高校、

        東北大学工学部学生{仙台(4年;宮城)}、

        東北大学工学部助手{仙台(9年;宮城)}、

        山形大学工学部{米沢(11年;山形)}、

        山形大学工学部{山形(8年;山形)}、・・・・・

 休日の居場所:近くの温泉(車で)か山形市近辺(早朝に自転車で)か本屋(歩きで)。

 興味あること:物を分解し、なぜそうなっているのかを知ること。

        小さなもの(ありの巣からマイクロ加工・センサ技術まで)

        きれいな水(東北の沢や川の流れている水から超純水まで)

        人を動かすもの(夢,理想,すぐにやるという気持ち)

                         松下の目次に戻る。


 

1.2 自己紹介(山形大学教員要覧と同様の内容)

                         松下の目次に戻る。

松下浩一 (Koichi MATSUSHITA) 1953.9.11生

 職名:教授(2001.4)

 (学  部):「電気電子工学科」 「電子量子工学講座」

 旧(博士前期):「電子情報工学専攻」 「電子光デバイス工学講座」

 新(博士前期):「生体センシング機能工学専攻」 「生体機械情報学講座」

 旧(博士後期):「システム情報工学専攻」 「電子光工学講座」

 新(博士後期):「生体センシング機能工学専攻」 「生体機械情報学講座」

       Tel:0238-26-3281(松下の直通電話)

       Tel:0238-26-3282(奥山・松下研究室:出張等の確認ができます)

       Fax:0238-26-3299(電子情報系3学科事務室)

      電子メール: matsu@yz.yamagata-u.ac.jp(2002.7.22〜)

 講義科目 学 部:電子物性I補習(電気電子工学科)・電子デバイス(電気電子工学科)・半導体工学(電気電子工学科)・電気回路I及び演習(電気電子工学科)

      大学院:微小機械工学(生体センシング機能工学専攻)・電子材料プロセス工学特論(生体センシング機能工学専攻)・機能情報計測制御特論(生体センシング機能工学専攻)・半導体デバイスプロセス(電気電子工学専攻)

 学  歴 :東北大学工学部電子工学科(1976)、

       東北大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程(1978)

 学  位 :工学博士「化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー」

       (1986年,東北大学 工博第852号)

 職  歴 :東北大学助手工学部('78.4)、山形大学講師工学部('86.12)、山形大学助教授工学部('92.12)、ダルムシュタット工科大学客員研究員('89〜'90)

 所属学会 :応用物理学会、電子情報通信学会(-2005)、電気学会,表面科学会

 専門分野 :電子工学(電子材料、電子デバイス)

 研究テーマ:マイクロマシニング:

       微細加工技術のセンサ・アクチュエータへの応用に関する研究

       結晶性薄膜の低温成長:半導体Ge等の低温エピタキシャル成長

       材料表面状態の簡易測定法の開発:液滴の接触角測定によるGaAs処理面の観察

                        松下の目次に戻る。


0.1 平成13年度講義紹介 2001年度山形大学シラバス  

曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月)       1,2 講義棟
302
電子デバイス
(火)            
(水)            
(木) 3,4 7-401
E教室
半導体デバイスプロセス
 および
微小機械工学
     
(木) 11,12 中示範B
教室
電子デバイス 3,4 山形市
小白川
工業数学
(金)       5,6 講義棟
203
電子物性I補習

0.2 平成14年度講義紹介 2002年度山形大学シラバス  
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月)       1,2 302 電子デバイス
(火)            
(水) 11,12 201 電子デバイス      
(木) 13,14 304 アナログ回路      
(金)       5,6 302 電子物性I補習

0.3 平成15年度講義紹介 2003年度山形大学シラバス  
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月) 1,2 7-401
E教室
半導体デバイスプロセス
 および
微小機械工学
1,2 302 電子デバイス
(火)            
(水) 11,12 201 電子デバイス      
(木) 3,4 303 半導体工学      
(金)       5,6 302 電子物性I補習

0.4 平成16年度講義紹介 2004年度山形大学シラバス
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月)       1,2 302 電子デバイス
(火)            
(水) 11,12 201 電子デバイス      
(木) 3,4 303 半導体工学 1,2  201  電子回路(情報)
(金)       5,6 302 電子物性I補習

0.5 平成17年度講義紹介 2005年度山形大学シラバス
    
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月)       1,2 203 電子デバイス
(月)       7,8 204 電気回路I及び演習(補習)   
(火) 5,6 研究室 グループプロジェクト         
(水) 11,12 203 電子デバイス    1,2 204 電気回路I及び演習(補習)   
(木) 3,4 304 半導体工学          
(金) 5,6  7-401半導体デバイスプロセス・微小機械工学 5,6 204 電子物性I補習   

  0.6 平成18年度講義紹介 2006年度山形大学シラバス
    
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月) 11,12 303 半導体工学 7,8 204 電気回路I及び演習(補習)   
(火) 5,6   グループプロジェクト         
(水) 11,12 203 電子デバイス    7,8 204 電気回路I及び演習(補習)   
(木) 3,4 304 半導体工学          
(金) 3,4 小白川技術論(後半1/3)      

                        松下の目次に戻る。

  0.7 平成19年度講義紹介(2007.3.30現在確定) 2007年度山形大学シラバス

      
曜日 校時 場所 前期 校時 場所 後期
(月) 11,12 115 半導体工学 7,8 112 電気回路I及び演習(補習)   
(火) 5,6 7-407 グループプロジェクト         
(水) 5,6 7-401半導体デバイスプロセス・微小機械工学         
(水) 11,12 114 電子デバイス    7,8 112 電気回路I及び演習(補習)   
(木) 3,4 212 半導体工学          
(金)               

                         松下の目次に戻る。

 

2.1 研究業績  

(0) key word,研究のキーワード

                        松下の目次に戻る。

  キーワードは、アルファベット順、50音順に書いてあります。

  気になるキーワードは、 Netscape の

  Ctrl+F Command+F 等を使って検索をしてください。

  どの論文に書かれているかが分かります。

Al-Al2O3-Pd tunnel junction ,(Al,Ga)Sb, anodic dissolution, anodic oxidation, Auger electron spectroscopy, CaF2, compound semiconductor, Solid, liquid, liquid droplet, Ga, GaAs, Ge, surface tension, surface free energy, contact angle of water droplet, wetting, wettability, electrochemical detection of defect, TiO2, electrochemical intercalation of organic molecules, EL2, ER fluid, GaAs, GaSb, Ge, heavily Te-doped GaAs, hydrochloric-treated GaAs, hydrofluoric-treated GaAs, hydrogen chloride, hydrogen plasma, hydrogen gas sensor, InAs, InP, InSb, layered oxide, low temperature epitaxial growth, Mn-diffusion, MoO3, nitridation, PAE, Pd/Ni-Al2O3-Al tunnel diode, plasma-assisted epitaxy, positive-working photosensitive polyimide precursor, polyisoimide, photoluminescence, semi-insulating GaAs, surface, thin film, ZnSe,

ER流体,塩酸処理GaAs表面, 化合物半導体, 感光性ポリイミド, 格子欠陥, 固体、液体、液滴,表面張力,表面自由エネルギー,表面エネルギー,動的,静的,接触角, ぬれ,ぬれ性,濡れ,酸化チタン,光触媒

低温エピタキシャル成長 ,Al-Al2O3-Pdトンネル接合,半絶縁性GaAs,

フォトルミネセンス, フッ酸処理GaAs表面, プラズマ・アシステド・エピタキシー,

陽極溶解, 陽極酸化


 

(1) 学会論文(研究論文)            32 (12)

                         松下の目次に戻る。

通し番号. 論文名, 雑誌名(発表機関), 巻(Vol.), 号(No.), ページ, 全著者名, 発表年月


 

学会論文(研究論文) 過去5年間  5 (2)


             それ以前に遡る。   松下の目次に戻る。

32. Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates,
  Applied Surface Science, 244 pp.373-376.
  Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, and Y.Kashiwaba. 2005. 1

31. Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition
  on sapphire substrate,
  physica status solidi (c) 1, No. 4, pp.912-915.
  Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, and K.Matsushita, 2004. 2

30. Three-ports Micro ER Valve for ER Suspension Fabricated by Photolithography,
  J.Intelligent Material Systems and Structures, Vol.13, pp.503-508.
  M.Nakano, T.Katou, A.Satou, K.Miyata, K.Matsushita, 2002. 8

29. Characterization of Pure Water Treated GaAs Surfaces by Measuring
  Contact Angles of Water Droplets,
  J.Electrochem.Soc.,Vol.148, No.8, pp.G401-G405.
  K.Matsushita, A.Fujisawa, N.Ando, H.Kobayashi, H.Naganuma, S.Okuyama
  and K.Okuyama, 2001. 8

28. In-Situ Observation of GaAs Surface in High Vacuum by
  Contact Angle Measurement,
  Electronics and Communications in Japan, Part2, Vol.84, No.11, pp.51-59,
  K.Matsushita, T.Monbara, K.Nakayama, H.Naganuma, S.Okuyama
  and K.Okuyama, 2001.11


 

学会論文(研究論文) それ以前  27 (10)


             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

27.高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察,
  電子情報通信学会論文誌,C, Vol.J84-C, No.2, pp.136-143.
  松下浩一, 門原拓也,中山健,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,2001.2

26. Hydrogen Gas Sensing Using a Pd-Coated Cantilever,
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39, No.6A, pp.3584-3590,
  S.Okuyama, Y.Mitobe, K.Okuyama and K.Matsushita, 2000.6

25. Hydrophobicity of Hydrochloric-Treated GaAs Surface Analyzed by Contact Angle Measurement, J.Electrochem.Soc.,Vol.145, No.4, pp.1381-1384, K.Matsushita, N.Suzuki, S.Okuyama and K.Okuyama, 1998. 4

24. Hydrogen-induced light emission from an organic electroluminescent device, Appl.Phys.Lett., Vol.71, No.20, pp.2877-2879, S.Okuyama, Y.Ito, T.Sugawara, K.Okuyama, K.Matsushita and J.Kido, 1997. 11

23. Improved Response Time of Al/Al2O3-Pd Tunnel Diode Hydrogen Gas Sensor, Jpn.J.Appl.Phys. Vol.36, No.11, pp.6905-6908, S.Okuyama, H.Usami, K.Okuyama, H.Yamada and K.Matsushita 1997.11

22. Pd/Ni-Al2O3-Al Tunnel Diode as High-Concentration-Hydrogen Gas Sensor, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.36, No.3A, pp.1228-1232, S.Okuyama, K.Umemoto, K.Okuyama, S.Ohshima and K.Matsushita, 1997. 3

21. Hydrofluoric-Treated GaAs Surfaces Analyzed by Contact Angle Measurement and Auger Electron Spectroscopy, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.35, No.10, pp.5293-5296, K.Matsushita, N.Suzuki, S.Okuyama and Y.Kumagai, 1996.10

20. Current vs Voltage Characteristics of Al-Al2O3-Pd Tunnel Junction Hydrogen Sensor, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.35, No.4A,pp.2266-2270, S.Okuyama, K.Okuyama, N.Takinami, K.Matsushita and Y.Kumagai, 1996. 4

19. Electrochemical Intercalation of Organic Molecules into Layered Oxides, MoO3, Materials Research Bulletin, Vol.31, No. 3, pp.283-294, K.Ara, H.Tagaya, T.Ogata, K.Matsushita, J.Kadokawa, M.Karasu and K.Chiba, 1996.3

18. Positive-working alkaline-developable photosensitive polyimide precursor based on polyisoimide using diazonaphthoquinone as a dissolution inhibitor, Polymer Vol.36, pp2153-2158, A.Mochizuki, T.Teranishi, M.Ueda and K.Matsushita, 1995.6

17. Positive-working photosensitive polyimide precursor based on polyisoimide using nifedipine as a dissolution inhibitor, High Perform. Polym., Vol.6, pp225-233, A.Mochizuki, K.Yamada, T.Teranishi, K.Matsushita and M.Ueda, 1994.12

16. Observation of HCl- and HF-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.33, No.8, pp.4576-4580, K.Matsushita, S.Miyazaki, S.Okuyama and Y.Kumagai, 1994.8

15. Electrochemical Detection of Defects in Ge/GaAs Structures by an Anodic Dissolution Method under Illumination, J. Electrochem. Soc., Vol.140, No.7, pp.2097-2100, K.Matsushita, R.Chiba, S.Okuyama and Y.Kumagai, 1993.7

14. Suppression of InP Substrate Degradation by Hydrogen Plasma Caused by the Presence of Phosphorus Vapour, Electronics Lett., Vol.26, No.9, pp.564-566, R.Schuetz, K.Matsushita, H.L.Hartnagel, J.Y.Longere, S.K.Krawczyk, 1990.4

13. Plasma-Assisted Epitaxial Growth of InAs, Appl.Phys.Lett., Vol.54, No.14, pp.1338-1340, S.F.Fang, K.Matsushita and T.Hariu, 1989.4

12. Low Temperature Epitaxial Growth of Highly-Conductive ZnSe Layers in Mixed Plasma of Hydrogen and Hydrogen Chloride, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.26, No.6, pp.L893-L895, S.Yamauchi, T.Hariu and K.Matsushita, 1987.6

11. Quenching and Recovery Spectra of Midgap Levels (EL2) in Semi.Insulating GaAs Measured by Double-Beam Photoconductivity, J.Appl.Phys., Vol.61, No.3, pp.1068-1072, T.Hariu, T.Sato, H.Komori and K.Matsushita, 1987.2

10. Plasma-Assisted Deposition and Epitaxy of ZnSe, Vacuum, Vol.36, No.1, pp.133-137, H.Sato, O.Osada,K.Matsushita,T.Hariu and Y.Shibata, 1986.1

9. Photoluminescent Determination of Mn Concentration and its Diffusion in Semi-Insulating GaAs, J.Appl.Phys., Vol.57, No.4, pp.1109-1113, Y.Sasaki, T.Sato,K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata, 1985.2

8. Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaAs and GaSb Layers in Hydrogen Plasma , IEEE Trans. on ED, Vol.31, No.8, pp.1092-1096, K.Matsushita, T.Sato, Y.Sato, Y.Sugiyama, T.Hariu and Y.Shibata, 1984.8

7. プラズマを用いた化合物半導体の高速低温エピタキシャル成長法, 真空,27巻,7号,569-580, 松下浩一、佐藤泰史、針生尚、柴田幸男, 1984.7

6. Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaSb in Hydrogen Plasma, Proc. Int'l Ion Engrg. Congress, ISIAT'83 & IPAT'83, Kyoto, pp.1103-1107, Y.Sato, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata, 1983.9

Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaSb in Hydrogen Plasma, Appl.Phys.Lett., Vol.44, No.6, pp.592-594, Y.Sato, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata, 1984.3

5. Heavily Te-Doped GaAs Layers by Plasma-Assisted Epitaxy, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.22, No.9, pp.L602-L604, K.Matsushita, Y.Sugiyama, S.Igarashi, T.Hariu and Y.Shibata, 1983.9

4. A Comparative Study of the Deposition Conditions in the Plasma Assisted Deposition of Gallium Nitride Thin Films, Thin Solid Films, Vol.80, pp.243-247, K.Matsushita, Y.Matsuno, T.Hariu and Y.Shibata, 1981.7

3. Low Temperature Thermal Nitridation of GaAs Surfaces, Jpn.J.Appl.Phys., Vol.19, No.7, pp.L383-L385, Y.Matsuno, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata, 1980.7

2. Some Aspects on the Mechanism of Anodic Oxidation of GaAs, J.Electrochem.Soc., Vol.126, No.7, pp.1268-1272, K.Matsushita, T.Hariu, H.Adachi and Y.Shibata, 1979.7

1. 化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー, 博士論文, 東北大学, 松下浩一, 1986.7

             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

 


   

(2) 速報(ノート)・国際会議・シンポジウム       19 (5)

                         松下の目次に戻る。

通し番号. 論文名, 雑誌名(発表機関), 巻(Vol.), 号(No.), ページ, 全著者名, 発表年月


 

速報・国際会議 過去5年間  2 (0)


19. Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates,
  The 12th International Conference on Solid Films and Surfaces, p282 (June 2004).
  Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, and Y.Kashiwaba. 2004.6

18. Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition on sapphire substrate, Abstractbook of 11th International Conference on II-VI Compounds, New York, Tu-5.61., Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, and K.Matsushita, 2003. 9

             それ以前に遡る。   松下の目次に戻る。


 

速報・国際会議 それ以前  17 (5)


             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

17. Electrochemical Intercalation of Organic Molecules into Thin Film of Layered Oxide MoO3, Chemistry Letters, pp.2439-2442, H.Tagaya, K.Ara, K.Matsushita, J.Kadokawa, M.Karasu and K.Chiba, 1994.11

16. Changes of Crystal Orientation in CaF2/GaAs Growth by H2 Plasma, Proc. of the Int'l Sem. on Reactive Plasma, Nagoya, pp.237-240, K.Matsushita, S.Okuyama, I.Asaka, Y.Natsume and Y.Kumagai, 1991.6

15. Effects of H2 Plasma on a Growth of Ge Film by Plasma-Assisted Epitaxy, Proc. of the Int'l Sem. on Reactive Plasma, Nagoya, pp.233-236, S.Okuyama, K.Matsushita, K.Hasegawa, K.Shio, Y.Ueta and Y.Kumagai, 1991.6

14. Low Temperature Epitaxial Growth of Compound Semiconductors on Si by Plasma-Assisted Epitaxy, Proc. of 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, Tokyo, pp.1230-1235, Q.Z.Gao, K.Matsushita and T.Hariu, 1987.8

13. Doping Properties of ZnSe Layers Grown by Plasma-Assisted Epitaxy, Proc. of 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, Tokyo, pp.1224-1229, S.Yamauchi, K.Matsushita and T.Hariu, 1987.8

12. Plasma-Assisted Epitaxial Growth of Meta-Stable Alloy Semiconductor, Proc. of 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, Tokyo, pp.1219-1223, S.F.Fang, K.Matsushita and T.Hariu, 1987.8

11. Plasma-assisted Epitaxial Growth of Compound Semiconductors for Infrared Application Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.90, Boston, pp.479-486, K.Matsushita, T.Hariu, S.F.Fang, K.Shida and Q.Z.Gao, 1986.11

10. Growth Behaviors and Characterization of Plasma-Assisted Epitaxial InSb and InAs on Different Substrates, Proc. Int'l Symp. on GaAs and Related Compounds, Las Vegas, Nevada, pp.165-170, T.Hariu, S.F.Fang, K.Shida and K.Matsushita, 1986.9

9. Highly Conductive ZnSe Layers by Plasma-Assisted Epitaxy, Ext. Abs. 18th Int'l Conf. Solid State Devices and Materials,Tokyo, pp.639-642, T.Hariu, S.Yamauchi, S.Goto, K.Shida and K.Matsushita, 1986.8

8. The Effects of Different Discharge Gas in Plasma-Assisted Epitaxy of Compound Semiconductors, Proc. of 7th Int'l Symp. on Plasma Chemistry, Eindhoven, pp.29-32, T.Hariu, K.Shida, Y.Sato, K.Matsushita and Y.Shibata, 1985.6

7. Application of Plasma-Assisted Epitaxial GaSb to Photoelectric Devices, Ext. Abs. 16th Int'l Conf. Solid State Devices and Materials, Kobe, pp.659-662, K.Matsushita, Y.Sato, K.Shida, T.Hariu and Y.Shibata, 1984.8

6. Low Temperature Epitaxial Growth of Device Quality GaSb and GaAs by Plasma-Assisted Epitaxy, Proc. Int'l Symp. On GaAs and Related Compounds, Biarritz, pp.193-198, T.Hariu, K.Matsushita, Y.Sato, Y.Sugiyama and Y.Shibata, 1984.6

5. Different Mn-Diffusion Mechanisms in Semi-Insulating GaAs Studied by Photoluminescence, 3rd Conf. on Semi-InsulatingIII-V Materials, Kah-nee-ta, pp.19-25, T.Hariu, T.Sato, Y.Sasaki, K.Matsushita and Y.Shibata, 1984.3

4. Doping Properties of Plasma-Assisted Epitaxial GaAs Thin Films, Proc. Int'l Ion Engrg. Congress, ISIAT'83 &IPAT'83, Kyoto, pp.1097-1102, K.Matsushita, S.Igarashi, T.Hariu and Y.Shibata, 1983.9

3. Plasma-Assisted Deposition and Epitaxy of GaAs and GaSb, Proc. Int'l Symp. on GaAs and Related Compounds, Albuquerque,pp.141-148, T.Hariu, K.Matsushita, Y.Komatsu, S.Shibuya, S.Igarashi and Y.Shibata, 1982.9

2. Gallium Oxide Film by Anodic Oxidization of Gallium, Jpn.J.Appl.Phys., (Short Notes), Vol.16, No.8, pp.1459-1460, N.Suzuki, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata, 1977.8

1. New Etch Pits on GaAs Revealed by Etching after Anodic Oxidation, J.Appl.Phys., (Communications), Vol.48, No.4, pp.1722-1723, K.Matsushita, T.Hariu, H.Adachi and Y.Shibata, 1977.4

             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。


 

(3) 参考論文(学会の研究会,国内会議) 22 (12)

                         松下の目次に戻る。

通し番号. 論文名, 雑誌名(発表機関), 巻(Vol.), 号(No.), ページ, 全著者名, 発表年月


 

参考論文(学会の研究会,国内会議) 過去5年間  0 (0)


             それ以前に遡る。   松下の目次に戻る。


 

参考論文(学会の研究会,国内会議) それ以前  22 (12)


             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

22. PdAg/Glass梁型ガスセンサの特性改善,

電気学会研究会資料、PHS-00-14, pp.37-41,

奥山澄雄、水戸部勇一、本田貴則、奥山克郎、松下浩一, 2000.9

21. 発光によって水素を検知する有機EL素子の高輝度化,

電気学会研究会資料、PHS-00-13, pp.33-36,

香川卓也、奥山澄雄、奥山克郎、長沼博、松下浩一、城戸淳二, 2000.9

20. 超高真空中接触角測定法によるGaAs基板表面の『その場』観察,

電子通信学会技術研究報告、CPM-99-50, pp.19-24,

松下浩一、長沼博、奥山澄雄、奥山克郎, 1999.8

19. 接触角測定法によるGaAs基板表面の観察,

電気学会研究会資料, SMP-98-9,pp.23-28,

松下浩一、門原拓也、安藤直克、藤澤旭、長沼博、奥山澄雄、奥山克郎, 1998.9

18. Hydrogen-Sensitive Organic Electroluminescent Device, 繊維学会宮崎基金国際シンポジウム (第13回オプティックとエレクトロニクス有機材料に関するシンポジウム), Miyazaki International Symposium (The 13th Symposium on Optical and Electrical Properties of Organic Materials), Tokyo, 2A21, S.Okuyama, Y.Kashiwaba, Y.Itoh, K.Okuyama, J.Kido and K. Matsushita, 1998.6

17. 水素プラズマ中でのGe薄膜の成長,

電気学会研究会資料, EP-93-62, pp.75-84,

佐藤忍、加川純司、奥山澄雄、松下浩一、熊谷泰爾, 1993.8

16. プラズマ・プロセスによる基板表面の低温清浄化とエピタキシャル成長,

電子通信学会技術研究報告、SSD86-51, pp.23-27,

方隼飛、高青竹、松下浩一、針生尚, 1986.8

15. プラズマ・アシステド・エピタキシー法によるZnSe薄膜の成長,

電子通信学会技術研究報告、SSD86-48, pp.1-6,

山内智、松下浩一、針生尚, 1986.8

14. Multi-Layered Structure of GaAs/ZnSe by Plasma-Assisted Epitaxy, Ext. Abs. 17th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, pp.241-244, K.Matsushita, H.Sato, O.Osada, S.F.Fang, K.Shida, T.Hariu and Y.Shibata, 1985.8

13. PAE法による(Al,Ga)Sb系ヘテロ接合,

電子通信学会技術研究報告、ED84-64, pp.17-23,

松下浩一、志田光司、佐藤泰史、針生尚、柴田幸男,1984.9

12. 半絶縁性GaAsにおけるMnのホトルミネッセンスによる定量評価,

電子通信学会技術研究報告、SSD84-52, pp.55-60,

佐々木康宏、佐藤点、松下浩一、針生尚、柴田幸男, 1984.8

11. プラズマアシステッドエピタキシーによるGaSbとAlxGa1-xSb,

電子通信学会技術研究報告、ED83-57, pp.1-7,

佐藤泰史、松下浩一、針生尚、柴田幸男, 1983.9

10. 化合物半導体薄膜のプラズマアシステッドエピタキシー,

電気学会研究会資料, EFM-83-21, pp.11-20,

松下浩一、佐藤泰史、杉山芳弘、針生尚、柴田幸男, 1983.8

9. 半絶縁性ガリウムヒ素とその熱変成のフォトルミネッセンスによる評価,

電子通信学会技術研究報告、SSD83-56, pp.71-77,

佐藤点、佐々木康宏、松下浩一、針生尚、柴田幸男,1983.8

8. 窒化膜の低温生成とGaAs不活性化膜への応用,

電子通信学会技術研究報告、ED82-53, pp.29-34,

松下浩一、針生尚、柴田幸男,1982.10

7. Plasma Assisted Deposition and Epitaxy of GaSb, Proc. 6th Symp. on ISIAT., Tokyo, pp.405-408, K.Matsushita, S.Komatsu, T.Hariu and Y.Shibata, 1982.6

6. 超低周波に於ける誘電分散の測定法,

東北大学電通談話会記録、50巻,3号,pp.114-121,

小野寺政信、松下浩一、安達洋、志村秀雄、柴田幸男, 1981.11

5. GaAsと窒化膜界面における原子の相互拡散と界面特性,

電気学会研究会資料, EFM-81-23, EDD-81-56, pp.29-34,

松下浩一、針生尚、柴田幸男,1981.8

4. Reduction of Incorporated Oxygen Content in Nitride Films by Plasma Assisted Deposition, Proc. 5th Symp. on ISIAT., Tokyo, pp.57-60, K.Matsushita, Y.Matsuno, T.Hariu and Y.Shibata, 1981.6

3. プラズマを用いた窒化ガリウム薄膜の作成とその諸特性,

日本学術振興会薄膜, 131委員会等合同委員会資料, pp.22-25,

松下浩一、松野庸一、針生尚、柴田幸男, 1980.10

2. GaAsのドライ表面処理,

電子通信学会技術研究報告, ED80-7, pp.45-50,

松下浩一、松野庸一、山下勝重、針生尚、柴田幸男, 1980.7

1. GaAs表面の不活性化,

修士論文、東北大学, 松下浩一、1978.3

             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。


   

(4) 著書                    1 (1)


過去5年間  0 (0)


それ以前  1 (1)

著書 書名 (執筆者)出版年月出版社
 

1. Properties of Indium Phosphide, EMIS Datareviews, Series No.6, pp.344-357, INSPEC, London, K.Matsushita, H.L.Hartnagel, 1991.3
 

                         松下の目次に戻る。
 


   

(5) 特許  

  (2).奥山澄雄,豊田耕平,原田知親,松下浩一:
   「アクチュエーター」,日本,形大社第521-30号 平成17年3月15日
 

  1.宗像誠,松下浩一,大嶋重利,小山清人,高橋幸司,上田充:
   「マイクロ形状異方性素子」,日本,特許公開平05-315132,特願平4-117733
 

                         松下の目次に戻る。
 


   

(6) その他,学会の講演など  

  その他、学会の口頭発表などのここ10年間のデータは、
  研究室の『学会発表の記録』 の項を参照されたい。

 

                         松下の目次に戻る。
 


 

2.2 教育活動

                         松下の目次に戻る。

はじめに
 ここでは、私が 『主査として指導した大学院博士前期課程の大学院生』 についてまとめるとともに、 私がこれまでに試行錯誤を繰り返しながら行なってきた 『講義の工夫』、 および『そのような講義をするに至った経過』 をまとめることで、教育活動とさせていただきたい。

第31回 授業改善リレーエッセイ「毎週講義・ノート・レポート,中間・期末にテスト」:工学部 松下 浩一


博士後期課程 大学院生                                            松下の目次に戻る。

(主査として指導した大学院生の 修了年度、氏名、博士論文題目


 
主査として指導した大学院生 過去5年間  1


平成16年度 (2004年度)
 柏葉安宏 有機金属化学気相成長法によるa軸配向酸化亜鉛薄膜の作製と評価

 


  博士前期課程 大学院生

(主査として指導した大学院生の 修了年度、氏名、修士論文題目


 
主査として指導した大学院生 過去5年間  7
               それ以前に遡る。   松下の目次に戻る。


平成17年度 (2005年度)
 山田 健 
 宮沢 徹 

平成16年度 (2004年度)
 阿部 智之 Ge薄膜のECRプラズマ中エピタキシャル成長とデバイスへの応用
 近藤 和文 超LSIデバイス実装用に向けたマイクロバンプの形成と評価
 瀧澤 弘二 水素プラズマクリーニング処理を用いた半導体デバイス材料表面の‘‘その場’’観察
 冨田 一孝 Si加工技術を用いたER駆動バルブの形成と評価

平成15年度 (2003年度)
 なし

平成14年度 (2002年度)
 石田 浩史 ER流体を用いたマイクロアクチュエータ作製に関する研究
 清野 誠人 接触角測定法によるフッ酸処理GaAs表面の評価
 大村 高正 真空中接触角測定法によるGaAs表面の評価

平成13年度 (2001年度)
 なし


 

主査として指導した大学院生 それ以前  13                過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

平成12年度 (2000年度)
 なし

平成11年度 (1999年度)
 渡辺 正敏 RFスパッタ法で形成したハイドロキシアパタイト薄膜の基礎物性

平成10年度 (1998年度)
 佐藤 高広 ECRプラズマがGe薄膜成長に及ぼす影響
 門原 拓也 超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

平成 9年度 (1997年度)
 長谷川 智和 ハイドロキシアパタイト薄膜に関する基礎的研究

平成 8年度 (1996年度)
 長岡 善弘 ECR水素プラズマがGe薄膜成長に及ぼす効果
 藤澤 旭  低溶存酸素純水処理GaAs表面の評価

平成 7年度 (1995年度)
 三瓶 喜生 ECRプラズマ中のGe薄膜成長

平成 6年度 (1994年度)
 鈴木 直樹 接触角測定によるGaAs処理表面の評価

平成 5年度 (1993年度)
 佐藤 忍  GaAs基板上のGe薄膜成長に関する研究

平成 4年度 (1992年度)
 加川 純司 水素プラズマ中で成長したGe/GaAs薄膜のホール移動度
 小橋 厚志 ZnSeの薄膜の水素プラズマ・アシステッド・エピタキシー
 金野 雅英 水滴粒の接触角測定によるGaAs処理面の観察

平成 2年度 (1990年度)
 長谷川 勝也 プラズマ・アシステッド・エピタキシー法によるGe薄膜に関する研究


 

講義の工夫

             教育活動に戻る。   松下の目次に戻る。

 ●出席票を利用することで出席を促す。出席数の把握ができる。(0.5点/1日)
 ●出席票を利用することで、学生からの質問への受け答えをする。
 ●電子メールアドレスを公開し利用することで、学生からの質問への受け答えをする。
 ●講義にはテキストを用い、それに則った内容を講義の基本とする。
  (学生はテストの前にも読めるしっかりしたテキストを期待している。)
 ●講義中に、講義内容に関連するテキストのページも板書する。
 ●テキストにない内容を説明する場合には、できるだけコピーをして配る。
 ●ノートとしてB4版用紙を配る。すべてを板書させ、提出させる。(0.5点/1日)
  (1日の講義の内容がB4の表裏面1枚に凝縮される。テキストのまとめとなる。)
  (理解を助けるテキスト上の図面や文章を自ら書く作業を中心とする。)
 ●黒板は狭く前の内容は消さなければならないので、OHPを補助に使用する。
 ●内容の理解を深めるため、講義の最後の時間帯に図面を描く演習の時間を取る。
 ●テキストの重要部2ページ程度を理解し写すレポートを提出させる。(1点/1枚)
  (問題を解かせるレポートのみでは提出者は少なくなる。自主勉強の勧めである。)
 ●希望する学生のみメールアドレスを教えてもらい、提出レポートの問題を送る。
 ●期末テストは、通常どおり行い、これらの合計点で成績をつける。
 ●7回以上講義に出席した学生を出席票で確認し、期末テストを用意する。
 ●TA(Teaching Assistant)に、以下の仕事をお願いしている。
   1.出席票、ノート、レポートの整理。
   2.講義中の簡単な演習の間違い直し、丸付け。
   3.その他。
  (小さな間違いのうちに、適切なアドバイスを与えたいと考えている。)


 

そのような講義をするに至った経過

             教育活動に戻る。   松下の目次に戻る。

 20年前と同様に、学生は
 1.面白い、あるいは、必要だと思う講義に自主的に参加し、
 2.黒板を書き写すだけではなく、先生の話した内容をも含む自分なりのノートを取り、
 3.内容の分からないところは、参考になる本を探し出し自分で調べ、
 4.テスト前には、(慌ててではあるが)自分で計画を立てて勉強している
と考えていたい。しかし、テストの結果を見るとそうでないことは明らかである。 この状態で以前と同様な講義をすることは学生のためにならないことが分かってきた。

 これは、高校までの勉強の仕方が、大学が望んでいる勉強の仕方と大きく違ってきてしまったことに主たる原因があると考えている。高校までの勉強法は、文部省から決められた既に分かっている内容を効率よく教えるために作り出された勉強法であるからだ。いわゆる知識を教えるためのきれいな教科書やら参考書やらが五万とある。勉強するにはこのようなテキストや参考書があるのが当たり前であり、こうすることが勉強なのであると学生は教えられてきたのである。また、学生は何でもかんでも教えられることに慣れきってしまっているのである。
 しかし、世の中で欲している、つまり、本当に役に立つ勉強法は、実は昔は大学に入るためにはどうしても必要であり、誰もが身につけていた勉強法である。正しいと誰もが分かるような答えのない、あるいは、いくつもの答えがある問題への取り組み方、勉強法である。参考書も自ら探し、答えも自ら探す方法である。誰からも教えられないときにどうするか、誰も分からない問題にどう対処していくのかということなのである。我々も研究室単位の少人数ではこのような問題への勉強法を研究指導の中で教えているが、残念ながら多くの学生諸君に対してこのような方法を講義の中で教えることはできない。

 今の大学生にはこのような自ら進んで学ぶという勉強の仕方を会得していない学生も少なくない。このような状況下で講義をすることを念頭に考え出したのが、上述の講義の工夫である。
 幸い、山形大学工学部の学生には救いがある。以下のようなやる気がある。
 1.講義に出席する学生の数は昔と比べて少ないわけではない。
 2.黒板の内容は書き写す。
 3.質問がないわけではない。ただ、みんなの前で質問するほどではないと思っているだけである。
 4.やればできるレポートは、時間をかけてもやって出す。
 5.電子メールでの質問を受け付けると,質問が出てくる。
かれらのやる気をうまく引き出しながら教育を進めていく必要があることを痛感している。

 今日の厳しい競争社会の中で仕事を継続していくためには、大学において学べる知識を得ることと同時に、これから必要な知識を継続して得るための勉強の習慣作りを勧めたいと考えた。テスト期間だけのがんばりで単位を出す方法では、日々の勉強の習慣をつけるという目標の達成が困難な学生もいるのではないかと考えた。そのため、講義への出席、ノートの提出、レポートの提出と、非常に少ない点数であるが日常の勉強にも点数を出し、単発になりがちなテストの補助とすることとした。以上が現在私が行なっている講義に工夫を加えるに至った経過である。

 内容に関する御意見、こうすれば学生にとってよりよいのではないかという御指摘などございましたらお聞かせください。

             教育活動に戻る。   松下の目次に戻る。


 

2.3 科学研究費採択状況(申請状況)

                         松下の目次に戻る。

山形大学に異動してから代表として申請したすべての科研費、ならびに、分担した最近の科研費に関して、採択の可(◎)、否(▼)、年度、種目、代表・分担、代表者名、課題名を記した。
 


 

科研費 過去5年間  継続を含めて,松下1名(代表)で0件,分担で4件1年目


             それ以前に遡る。   松下の目次に戻る。

 ◎2005(平成17)年度 基盤研究(B(2))一般 代表 中野政身 分担 松下浩一 

   ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

      申請総額 ????千円 交付予定総額 ????千円

 ◎2004(平成16)年度 基盤研究(B(2))一般 代表 中野政身 分担 松下浩一 

   ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

      申請総額 ????千円 交付予定総額 ????千円

 ◎2003(平成15)年度 基盤研究(B(2))一般 代表 中野政身 分担 松下浩一 

   ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

      申請総額 16,710千円 交付予定総額 13,600千円

 ◎2001(平成13)年度 基盤研究(B)一般 代表 中野政身 分担 松下浩一(継続の予定)

   ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

      申請額  3,020千円   交付額 2,100千円

 ◎2000(平成12)年度 基盤研究(B)一般 代表 中野政身 分担 松下浩一(継続)

   ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

      申請額  3,800千円   交付額 2,700千円

 ◎1999(平成11)年度 基盤研究(B)一般 代表 中野政身 分担 松下浩一(新規)(11450097)

   ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

      申請額 11,560千円   交付額 9,000千円

 ◎1998(平成10)年度 基盤研究(B)一般 代表 松下浩一(継続)

   超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

      申請額 930千円   交付予定額 700千円

 ◎1997(平成9)年度 基盤研究(B)一般 代表 松下浩一(継続)

   超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

      申請額 2,865千円   交付額 2,200千円

 ◎1996(平成8)年度 基盤研究(B)一般 代表 松下浩一(新規)(08455017)

   超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

      申請額 4,932千円   交付額 3,900千円

 ▼2001(平成13)年度 基盤研究(A)一般 代表 松下浩一(新規)

   減圧走査電子顕微鏡を用いた接触角測定による機能性薄膜デバイスの評価と高効率化

 H13-16申請額  42,000千円  本年度申請額 26,750千円   交付額 ????千円

 ▼2001(平成13)年度 基盤研究(B)展開 代表 松下浩一(新規)

   生体親和性・生体適合性ハイドロキシアパタイト薄膜を用いた生体計測デバイスの製作

 H13-15申請額  12,045千円  本年度申請額  6,100千円   交付額 ????千円

 ▼2000(平成12)年度 基盤研究(A)一般 代表 松下浩一(新規)

   減圧走査電子顕微鏡を用いた接触角測定による機能性薄膜デバイスの評価と高効率化

     申請額 26,750千円

 ▼2000(平成12)年度 基盤研究(B)展開 代表 松下浩一(新規)

   生体親和性・生体適合性ハイドロキシアパタイト薄膜を用いた生体計測デバイスの製作

      申請額 6,100千円

 ▼1999(平成11)年度 基盤研究(B)一般 代表 松下浩一(新規)

   生体親和性・生体適合性ハイドロキシアパタイト薄膜を用いた生体計測デバイスの製作

      申請額 6,100千円

 ▼1998(平成10)年度 基盤研究(A)展開 代表 松下浩一(新規)

   ハイドロキシアパタイト薄膜の生体適合形デバイスへの展開

     申請額 34,600千円

 ▼1997(平成9)年度 基盤研究(A)展開 代表 松下浩一(新規)

   高硬度・高潤沢ハイドロキシアパタイト薄膜を用いた生体適合形デバイスの試作

     申請額 34,600千円  

                         松下の目次に戻る。


 

科研費 それ以前  松下1名(代表)で1件1年間


             過去5年間に戻る。   松下の目次に戻る。

 ◎1988(昭和63)年度 奨励研究(A) 代表 松下浩一 (63750275)

   プラズマ電位を制御したプラズマ空間中でのGe薄膜の低温エピタキシャル成長

 ▼1995(平成7)年度 一般研究(B) 代表 松下浩一

   液滴の接触角測定によるエピタキシャル成長基板の表面状態のその場観察

 ▼1994(平成6)年度 一般研究(B) 代表 松下浩一

   液滴の接触角測定によるエピタキシャル成長基板の表面状態のその場観察

 ▼1993(平成5)年度 一般研究(B) 代表 松下浩一

   同相高周波電圧励起プラズマ法によるZnSe薄膜を用いた青色レーザの改良

 ▼1992(平成4)年度 一般研究(C) 代表 松下浩一

   同相高周波電圧励起プラズマ法による半導体薄膜の低温エピタキシャル成長法の開発

 ▼1991(平成3)年度 一般研究(C) 代表 松下浩一

1989(平成元)年と1990(平成2)年はドイツ出張中のため、申請できず。

1986(昭和61)年12月に山形大学に着任。


以上。                          平成12年5月10日現在

 

                         松下の目次に戻る。


 

2.4.1 山形県内 社会活動

名        称 開始年月 終了年月
YURNS(Yamagata University Research Netwook System)
  山形大学共同研究組織 会員
平成 2年3月〜  
YURNS レポート出版係 平成 8年5月〜  
山形県 ライフサポートテクノロジー 研究開発機構
  マイクロマシン勉強会 委員
平成 2年3月〜 平成11年5月
山形県 ライフサポートテクノロジー 研究開発機構
  推進委員
平成 9年5月〜 平成11年5月
クリーンルーム利用委員会 委員 平成10年4月〜 平成12年3月
クリーンルーム利用委員会 オブザーバ 平成12年4月〜  



                         松下の目次に戻る。


 

2.4.2 学会活動

名        称 開始年月 終了年月
電気学会 アドバンストマイクロセンサ・プロセス
        技術調査専門委員会 委員
平成 8年6月〜 平成10年5月
電気学会 マイクロセンサとそのプロセス
        技術調査専門委員会 委員
平成10年6月〜 平成13年5月
電気学会 複合化センサとそのプロセス
        技術調査専門委員会 委員
平成13年7月〜 平成15年6月
電気学会 センサ産業創出とセンサ新材料・
        プロセス技術調査専門委員会 委員
平成15年7月〜 平成16年3月
電気学会 東北支部 山形支所長 平成15年4月〜 平成17年3月の予定
表面科学会 東北支部 副支部長 平成13年5月〜 平成14年6月
表面科学会 東北支部長 平成14年6月〜 平成15年6月
次世代センサ協議会 東北支部 副支部長 平成14年4月〜 平成17年3月の予定



                         松下の目次に戻る。


 

2.4.3 フィジカルセンサ研究会

    無事終了 ご協力ありがとうございました。
    〔企画運営〕 松下浩一(山形大)

〔委 員 長〕  羽根一博(東北大)
〔幹  事〕  大塚義則(デンソー),鳥井昭宏(愛知工大)
〔幹事補佐〕 佐々木実(東北大)

日時 2000年 9月22日(金) 13:30〜17:00

会場  山形大学工学部ベンチャービジネスラボラトリー3階(セミナーホール)
    (山形県米沢市城南4-3-16) JR山形新幹線で米沢駅下車,タクシー
    (所要時間約10分)連絡先,松下浩一 Tel:0238-26-3281,
     E-mail:matsu@yz.yamagata-u.ac.jp

協賛  マイクロセンサとそのプロセス技術調査専門委員会
    (委員長 安達洋,幹事 毛塚博史,関村雅之)

議題 テーマ「マイクロセンサ,センサ材料,一般」

PHS-00-1 シリコンバイメタルを使った熱駆動型マイクロリレー
        友成惠昭,John Piccinic,吉田仁,荻原淳,長尾修一,
        齊藤公昭,川人圭子,河田裕志(松下電工(株))

PHS-00-2 医療用X線フラットパネルセンサの原理と応用
        森下正和(キャノン(株))

PHS-00-3 光導波路構造のSPRセンサ
        上野武司,加沢エリト,佐々木智憲,吉田裕道(東京都立産業技術研究所)

PHS-00-4 高温超伝導サンプラー電流波形計測装置によるGHz帯正弦波の観察
        安道徳昭,日高睦夫,佐藤哲朗,田原修一(NEC)

PHS-00-5 Nd系超伝導体のセンサ材料へ向けての特性改善
        畑山省司(東京工科大),小早志秀一(同和鉱業中研),
        吉澤秀二(明星大先端研),毛塚博史,山浦富雄(東京工科大)

PHS-00-6 セキュリティ用超伝導マイクロ波センサの設計・試作・評価
        佐藤和明,江畑克史,関谷尚人,大嶋重利(山形大),
        鈴木雄一郎,金尾憲一(住友重機械工業(株))

PHS-00-7 発光によって水素を検知する有機EL素子の高輝度化
        香川卓也,奥山澄雄,奥山克郎,長沼博,松下浩一,城戸淳二(山形大)

PHS-00-8 PdAg/Glass梁型水素ガスセンサの特性改善
        奥山澄雄,水戸部勇一,本田貴則,奥山克郎,松下浩一(山形大)

ちょっとものしり,ようこそ白布温泉  

                         松下の目次に戻る。


 

2.4.5 出張・研修控え(H12年4月1日〜本日まで)

日 時 用            務 出  張  先
H13. 5〜6 予定 平成14年度 学生募集のPRのための高校訪問 仙台三高,泉館山高,泉高, 仙台市
H13. 3.21 平成13年電気学会全国大会 
シンポジウム 『 21世紀を担うセンサ工学とマイクロマシンプロセスへの期待』
名古屋大学,名古屋市
H12. 9.22 フィジカルセンサ研究会 (電気学会)
第10回マイクロセンサとそのプロセス技術調査専門委員会
VBL, 米沢市
H12. 9. 6 米沢電機工業会産学交流セミナー
  (第19回YURNS研究会)
ゲストハウス, 米沢市
H12. 8. 9 山形大学教官研修会 「第2回教養教育ワークショップ」 遊学館, 山形市
(H11) (山形大学教官研修会 「第1回教養教育ワークショップ」) (遊学館, 山形市)
H12.8.2-8.4 第17回 マイクロ・ナノマシーニングセミナー 東北大学, 仙台市
H12. 7.26 マイクロマシンプロジェクト 外部評価委員会 山形県工業技術センター, 山形市
H12. 7. 5 平成13年度 学生募集のPRのための高校訪問 仙台三高,泉館山高,泉高, 仙台市
(H11. 9.16) (平成12年度 学生募集のPRのための高校訪問) (仙台三高,泉館山高,仙台南高, 仙台市)
H12. 6.14 第9回 マイクロセンサとそのプロセス技術調査専門委員会 電気学会, 東京都
H12. 4.12 第8回 マイクロセンサとそのプロセス技術調査専門委員会 日本交通協会, 東京都



                         松下の目次に戻る。


 

3 できごと(個人的な内容)

                         松下の目次に戻る。

H13.08.30

 8月11日に,小学生を対象にわくわくサイエンスを行った.ここに来た男子9名,女子2名は,多いに楽しんでくれていた.最後に撮った集合写真や氏名を掲載しようかとも考えたが,昨今のプライバシーの保護や悪いことに使われるのを防ぐため,断念した.残念だ.しかしながら,集まってくれた子供達の笑顔を見ていると,理科離れなどという言葉は思いも浮かばない.このようなサイエンスを楽しんでくれる子供達が一人でも増えて欲しいものである.

H12.08.24

 最近,私のホームページに迷い込んでくるかもしれない小中高校生を対象に楽しい情報を入れることにした.理科離れを防ぐために我々にできることの1つと考えている。

H12.08.14

 8月9日(水)に遊学館で,『北海道大学の大学教育と成績評価について』の講演を聞いてきた。結局はこれが大学改革に結びつくとの強い認識が感じられた。教育業績の評価に関してはどうするかは興味のあるところであった。北大の現状では,どのような形でフィードバックするかは後回しにして,やっていることを公開するということから始めるという,実に堅実な方法をとっているとのことであった。講師の阿部和厚先生は大学内からの圧力に苦労されているのだろうなと実感できた。情報公開がまず最初ということは官公庁や政府のみではなく大学にも当てはまるし,外部から見られたときに,一般常識から見ておかしいとの強い認識が生まれれば,それが駆動力となってよりよい方向に動くはずであるし動かざるを得ないであろう。そう考えて,私の出張・研修の履歴もホームページに載せることとした。

H12.05.23

 講義内容に関して電子メールで質問を受け付けることにした。講義中に出席票に質問を書かせて入るのだが,その場では思いつかないこともあるだろうと考えた。また,レポートをやれば質問も思い浮かぶと考えたのである。私としてはどの程度の学生が質問してくるのか分からないので,大勢過ぎると面倒である。が,大学生であればいつでも学べるという状況を作ってやるのもやる気を継続させるための方策だろう。今後は,ある一教室を勉強部屋として解放し,家庭教師的な院生や教師を貼り付けるような方策も工学部や学科レベルで必要であろう。自分でやろうとしている学生を個別に支援してやる方策を作っていく,これが山大工学部電気電子工学科だ。

H12.05.19

 『大学の情報の公開』ということは昨今強く求められている。が,『個人情報の公開』ということに反発する声は少なくない。『我々大学で働く個人情報』に関してはどこまでの公開を必要とされるのか,ということに関してはしたがって我々が時代に合わせて決めていく必要がある。名前が載るだけで世界中から検索が可能であるから英語で書く必要も分かる。個人,研究室,学科,工学部,山形大学とホームページは次第に作られていく。研究室には,今までは研究のためのホームページがあった。これからは何のためのホームページを作るのか,もう一度考えていく必要があり,それによって作り方も変わるだろう。学内コミュニケーションシステム委員会の仕事をしているとそんなことを考えるのが私たちの仕事だなという気がしてくる。

H12.05.12

 最近、デスクトップとノートパソコンの両者の画面で自分のホームページを見比べてみて、ホームページのフォントというのはなかなか面倒であることを実感している。今まで平田拓先生や伊藤彰則先生にいろいろお願いしてきたが、自分のページはさらにひどいものなんだなと思わざるを得なかった。とにかく、6月1日までに人に見てもらっても冷や汗が出ない程度のページにしたいものだ。それにしても時間がかかる。

H12.05.10

 研究室として必要であることを主としてホームページを作ってきたが、電子情報系3学科のホームページのように、学外へのアピールが期待されてきた。今日、城戸淳二先生のところの深瀬章夫さんから城戸研の学生募集のページを参考にして構わないと思うというメールをいただいたので、中学生、高校生をも対象にした学生募集 を書いた。一人でも多くの人が奥山研に興味を持ってくれることを期待して、今後もホームページの充実に力を注ごう。

H12.05.9

 電子情報系3学科ができるにあたり、ホームページの総書き換えの要求が出てきてしまった。研究室,個人のホームページを生かすとのことなので,書き方をある程度変えてみた。しかしながら,科研費の採択状況を入れるなど,私のHPの順番を書き直す程度で済みそうだ。ま,少しずつやっていこう。それにしても,『○○業績』とかいうキーワードを入れたので,すこし堅苦しくなったのが残念だ。しばらくしたらかえる必要があるのだろう。とりあえず参考にできるフォーマットをどこかに書いて欲しかったな。残念。

H12.04.25

 12人の新人が入った。奥山克郎先生、奥山澄雄さんが指導する7名は、石田浩史、大友正義、川合信輔、菊池敦志、熊谷智宣、栗田裕樹、大師和也君。私が指導する5名は、伊藤晃、大村高正、小笠原幸穂、清野誠人、古内良和君である。進学、就職、研究とも良い成果を期待したい。

 平成9年に書き始めたこの文章の第1回目にホームページ(HP)のことを書いた。今、電子情報系3学科ができるにあたり、ようやく伊藤先生を中心に新しい電子情報系3学科、電気電子工学科のHP作りが始まる。個人の意識が大学としての実際の動きになるのには長い時間がかかった。大学ももっと走らなくてはならないことを痛感する。しかしながら、組織のHPとすると、更新を各個人ができなくなり、HPが3年前に危惧したように古書になってしまうおそれがある。セキュリティを考えつつも、各個人が内容を楽に変更できるようなシステムはないのか。各個人が責任を持てる方式はないのか。実はあるのだがまだ動かせない感じなのだろう。

 そういえば、ソニー宮城はどんどん大きくなっているようだ。熊谷研の卒業生の篠田和宏氏が大学を訪れてくれた。やはりソニーは新し物好きのちょっと普通の升では計り知れないユニークな技術者が多いらしいことが言葉の端々から分かった。いいね。
 その中で、企業は即戦力となる学生を採用する傾向にあることを説明していた。大学院修了生はしっかり基礎を習得し、最先端科学に挑戦しているので、何か新しいことに対して戦力としての立ち上がりが早く、就職に有利に働くということである。つまり、大学名に関係なく実力があれば採用してくれるのです。

H12.02.15

 半導体メーカー中堅のセイコーエプソンがいい仕事をしている。2月10日(木)には山形県新企業懇話会と山形大学工学部との会合で、鶴岡市の東北エプソンに来ている大学時代の旧友の竹中計廣氏と会った。携帯関連で好況とのことで、IC製品技術部長の彼は非常に忙しいとのことである。また、セイコーエプソンの富士見事業所に昨年行った小林等君は1年分の休暇を今しか取れなかったとのことで、昨日研究室に来てくれた。4年次の学生を指導していってくれた。ありがたい。それにしても、景気を左右する半導体関連は、今は、中学生、高校生から始まる携帯電話熱に依存しているらしい。

 昨日、米沢のケーブルテレビ(NCV)が山形大学工学部9号館1階にできたクリーンルームの取材に来てくれた。2度目である。10年前から欲しいと熱望していたクリーンルームであった。全国レベルから見て大学として決して早い時期に建てられたものではない。しかし、このクリーンルームは材料として有機・無機を取り扱うことを目指したクリーンルームとして、今後、山形大学の目玉となることは間違いない。都田昌之教授、大嶋重利研究室の向田昌志助教授、河口仁司研究室の山吉康弘技官、城戸淳二研究室のD1の深瀬章夫君、私が紹介者として写っております。山形県内の高校生諸君がTVを見て、山形大学工学部への興味をさらに深めて欲しいものである。ぜひとも我々とともに夢の実現を目指そう。今現在、NTTで既にクリーンルームの経験の深い向田昌志助教授とともに、現在クリーンルームのHPや手引きを作成中である。今のところできていません。もうしばらくお待ちを。

http://www.cleanroom.yamagata-u.ac.jp

H12.01.18

 大学は大きく変わっているが、世の中はそれを把握しているとはいえない。産官学への関わりは、私自身は平成に入りヤーンズに関係してから大きく変わったが、それが今は大学の方針へと変わっていった。望ましい方向だ。しかし、本当に国がなすべき教育と大学の活性化のための規制緩和とが進められているのかと言われれば疑問が残る。共同研究費や奨学寄付金の使い道などへのかせはあまりにも大きすぎ、それを回避する方法を考え出すような意味のない努力が、研究費を申請し研究を推進する以外にもあるというのは問題であろう。本当の意味の規制緩和と国がやるべき教育の中身をもっと議論するためにヤーンズがやるべき仕事は、実は今始まったところともいえるようだ。

H11.12.02

 久しぶりにホームページに手を入れた。科研費の申請があったからだ。研究は後世にも残せる基礎的なもので,かつ,現状でもその価値が認められ特許に結び付く即戦力のものが望まれる。これはむずかしい。

 厚膜レジストは,フッ酸にも犯されない。これは,なかなか使い勝手がある。利用できるね。KOHではどうかな。試してみる価値がある。

H11.8.29

 仕事関連で,‘‘接触角、ぬれ、表面張力’’などを検索していたら、私のホームページには、ぬれというキーワードが入っていないことに気が付いた。検索はしてみるものですね。

H11.8.19

 夏休み前にテストをすることで、学生も講義を真剣に聞くようになったと思う。中途半端な秋休みがない分、夏休みも長く取れるし、時間的にも効率がよさそうだ。われわれも学会にも行きやすくなった。今のところ、いいことのみである。

 今まで転校した高校などの学校名を、このホームページに入れた。ところがなんと、中学校、小学校の名前が出てこないのです。釧路市立???中学校、釧路市立???小学校、秋田市立土崎小学校、田辺市立???小学校、横浜市立???小学校。もう健忘症か。ひどいね。

H11.7.1

 ミカサの半導体機器営業部の児玉栄一課長が、我々のために装置の見積もりをしてくれたとのことでした。これでようやく厚膜レジストの研究への応用ができる。ありがたい。

H11.6.8

 検索をしたら、ようやく、新4年生の名前が検索できた。Gooの更新の検索ロボットは、1ヶ月以上はかかる事が分かった。

 ライフサポートテクノロジーのマイクロマシン勉強会が一時中止となった。関わっていたものとしては残念な気がする。が、10年に渡る活動で大学と企業とのコンタクトは十分取れるような環境はできあがったこと、大学としては10年前にマイクロマシン勉強会が発足した当時からの念願であった工学部のクリーンルームができること、山形県にはマイクロマシンを製品にする企業が実質的には多くはないこと、さらには、山形県工業技術センターがマイクロマシン研究に積極的に動いていることもあり、ここ2年ほどの間は勉強会の存在価値が薄くなってきたことも確かである。鎌田先生の英断に従うことは得策であろう。

H11.5.7

 新4年生が入ってきた。私が指導する学生(松下班)の名前を書いてみる。石亀泰生君、金子哲也君、川口敬一君、柘植昇君、菅原聡洋君、徳江喜泰君である。渡辺正敏君を入れ、今年度は7名の指導となる。学生諸君が早く自分の希望どおり決まり、研究に身を入れられることを祈っている。まずは、来週から昨年までの卒業論文、修士論文の細かな内容に入って行く。

 奥山克郎教授、中野政身教授の科学研究費補助金が通った。私の申請は今年度通らなかった。科学研究費補助金の申請が通るということは、研究費が入るということとともに、研究方針が新しいということが認められたということである。この事実は重要である。来年は再度通るように文章を書きたい。

 中野政身教授の科学研究費補助金が通ったので、厚膜レジストの検討に再び入った。JSR株式会社(旧日本合成ゴム)の千葉秀貴さんにメールを出したところ、折り返して電話が入り、現実的な詳細なお話を聞くことができた。ありがたい。早速100μm程度の厚膜レジストの構造を作製してみたい。

H11.3.30

 “超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察”という題目の文部省科学研究費の成果報告書をようやく書き上げ製本することができた。もう少し全体を包括的にまとめ、誰でもそれを見れば研究が始められる程度に書き込みたかったが、時間切れとなってしまった。その仕事は今後の院生諸君にとっておくこととしよう。また、我々の仕事を参考にされる方々も、全部書かれてしまっては面白くないだろう。アイデアは困難の中から生まれてくるのだから。

 時代の移り変わりの中で、大学の情報の公開が進んでいる。特許のような企業との関わりだけでなく、一般の方々および高校生との関わりあいも増えてきた。講義内容やご両親への成績配布のみならず、入試問題の説明、点数の公表等々までもその対象となりそうである。我々工学を研究し教える教官だけではこの事態に対応しがたい。法律に詳しい教官や事務官の採用をお願いしたい。

 そういえば、科学研究費補助金の審査結果も希望者に対してはオープンにされる。これはありがたい。もしだめな場合、審査員が変わらない限り採用はないということであるから、テーマを変更しなくてはならないからである。いい仕事をするために既にできあがっている装置が必要なわけではないが、改良するための装置が必要だ。研究を続けるには後輩も育てなくてはならない。やはり、研究費が、どうしても、要る。

 春は毎年別れの季節ではあるが、今年は特に激動の年になった。長年ヤーンズ柱であった上田充先生、高橋幸司先生(3年間山形県庁)、若手の西成活裕先生が旅立つ。ヤーンズの全国への発信ともいえるが、日々御会いしてその刺激に触れていたかったものだ。とはいえ、日本にいるわけであるから、今後ともよろしくお願いいたします。

 山形大学工学部のクリーンルームが今年平成11年10月から稼動する。山形大学は他の工学部と比較すると高分子などの有機系に特に力を持っている工学部である。有機・無機の関連する分野で先端的な仕事ができるクリーンルームを目指し県内県外企業へ積極的にアピールしていきたい。

H10.11.6

 いつのまにか、大学に20年勤めていた。永年勤続者になっていた。その半分以上が山形大学の工学部での仕事となる。 最近ようやく、半導体の表面状態を水滴やGa液滴で測定するという、他の人のやっていない仕事ができるようになってきた。これも、大嶋教授をはじめとするYURNSの仲間の協力、および、文部省の科学研究費のおかげである。ありがたい。 この研究をさらに続け、万人が容易に測定し得、その結果を表面の評価として理解できる古くて新しい表面評価法の一分野を築きたい。

H10.9.24

 自分のホームページの書き方がずいぶんずさんであることが分かった。2重に太字が指定してあったりもした。もう少ししっかり書かないといけませんね。いつまでたっても勉強を続けなければならないことが、ここでも分かりました。

 広島、室蘭と私が昔住んでいたところをちょっとだけめぐってみました。30年前と比べ広島の変わりようはすさまじく、40年前と比べ室蘭の変わりようはさほどではないような気がしました。日本は部分集中をしています。

H10.8.18

 最近、インターネットを利用して人探しをしてみてつくづく感じたのは、やはり個人のホームページには顔写真が欲しいなということでした。ということで、奥山研究室の院生の柏葉君に頼んで、私の写真を私のホームページに入れてもらいました。ドイツに行った時から生やしたひげが、今は白髪交じりとなってしまいました。元々、髪は天然パーマなので、一見、恐い人間に見えます。はは。皆さん、よろしく。

飛行機で割引を使うと、仙台―室蘭間は24,600円であった。新幹線で山形から東京に行くと、22,740円である。物の値打ちというのが分からなくなってきた時代である。

 学内コミュニケーションシステム委員会というのと関わってから、素人が簡単にホームページを書くことができるようになることに関心を持つようになった。私のHPは文章だけだが、竹田幾雄図書係長から借りている本を読み、もう少しいろいろやれるようにしよう。また、奥山克郎研究室の方は、奥山澄雄助手の力で図面も簡単に保存できる体制になっている。すばらしい。これを事務の皆さんが容易にできるようにしたい。

H10.8.6

 久しぶりに自分のホームページを見直す気になったのは、山形県ライフサポートテクノロジー研究開発機構の財団法人 山形県テクノポリス財団のマイクロマシン勉強会の世話役として、いろいろな方に講演していただくため、人名などの検索や人や他大学のホームページに目が行くようになったためである。検索ソフトとしては、見つけたgooがやはり使いやすく、学会の名簿などがなくても、会社名や大学名だけで何とか研究者を探し出すことができるのは、非常に魅力的である。これからの時代はこうなるのだな。

 また、この9月に、私が住んだことのある広島大学と室蘭工業大学とに行く。ここに行く際、飛行機を利用しようと考えた。しかし、価格は安くなったが、山形から発の便は本数が少なく、かつ、時間的に適当ではないことが分かった。結局、室蘭へは仙台から乗ることにした。せっかくの空港を生かすには、さらに何が必要なのであろうか。

H10.3.10

 学内コミュニケーション委員というものになってから、人名などの検索や人や他大学のホームページに目が行くようになった。検索ソフトとしては、今のところ、今日見つけたgooがgoodである。

http://www.csj.co.jp/jsearch.html
にある国内検索の中で、一番上にある検索ソフトだ。私の名前で調べた結果だが、10個程度ある検索ソフトの中で、一番、しっかりと検索できた。少なくとも大学関連のヒット率は高いようだ。これを採用することにする。YURNS関連もすべての人名が出てきた。とても優れている。これでやっとフラストレーションが収まった。

H10.2.18

 論文を出すときに、外国の論文であると『論文掲載承認申請書』という書類を出す。昔は大切であったのであろうが、今は何のためだか分からない。このような書類が、公務員をむだに忙しくさせているように思える。子供の小学校の先生などもいろいろな研修などで忙しそうで、自習が多いようだ。本質の仕事で忙しいのであれば、納得できるが、時代錯誤の書類には無駄が多かろう。何かを作り出すとともに、時代に合うように何かを廃止する勇気を持つことが今必要なのではないか。

H10.2.1

 奥山助手の勧めもあり、最近の論文をアクロバットで電子化し、論文内容そのものを研究室内では読めるようになった。また、必要な人には図面も含めて、すぐにメールで(?)送れるようになった。4年前の論文はワープロで書き、図面は一部手書きであった。2年前の論文からは投稿料が安くなることもあり、文章はTEXで書いていた。論文の電子化に際しては、今後はやはり図面もTEXなどで書いていかねばならないのかな。どうもTEXで図面を書くのは、まだまだめんどうな感じだな。研究をし、論文を書くこと、そしてそれをわかりやすい形で発表することは、外部からも評価しやすい目安であり、我々にとっても楽しみな仕事である。どんどん変わるコンピュータ時代に対応していかねばならない。学生諸君も4年生のときから、自分達の研究成果を図面にするときには、常に、それが外部に対して発表されるものとなることを意識して書くことを希望します。また、ソフトのメーカーには、直感的に使いやすいソフトの開発を望みます。

H9.12.1

 11月28日(金)に、有機EL関連で人に会った。何気なく電子メールに書き込んできた私個人のホームページアドレスであったが、個人的な付き合いのなかった人々との出会いの際の会話のきっかけに使われていくのだなと実感した。1つの使い方だ。

H9.9.29

 インターネットエクスプローラーで見たら、うまく動かず。さらに、ネットスケープとは違うという2重構造にもなってしまった。原因不明。

H9.8.4

 研究室のホームページとYURNSのホームページができたので、この機会に新しい名刺を作ることとした。シティープリントに頼んだら、1日でできるといっていた。いやはや、スピード時代ですね。これからは、内容の充実に力を入れよう。

H9.7.16

 ようやく、YURNSのリストを作った。全然分からなかったので、ずいぶん時間がかかったが、何とかなるものだ。H先生が時間ができたら、第一段としては完成するであろう。皆さんの協力ありがとうございました。尚、ホームページのアドレスは

http://esr.yz.yamagata-u.ac.jp/yurns/index.html

である。

H9.6.5

 また、予算申請の話が来た。科研費の申請額も必要であるとのことなので、このまとめにもそれを入れた。共同研究者になっているものは、同意を取らなければならず、予算ももらっていないので、省いてある。

 ようやく、YURNSのリストを作ることにした。ずいぶん時間がかかったが、この時期がいいであろう。H先生を始め、皆さんの協力をお願いいたします。

H9.5.23

 山形大学工学部電子情報工学科のホームページを整備するようだ。

 現状では、山形大学工学部の電子情報工学科としてまとまりがあるとは言えない。主任がI先生に頼んでいたので、早々に整備されていくだろう。研究室のホームページとしては、奥山(克)教授の教員要覧が入りました。めでたし。今後、YURNS関連も作ってリンクする予定である。見ていたらよろしく、電気応用のH先生。

H9.5.20

 山形大学工学部の色々な研究室のホームページを見てみた。

 現状では、リストに奥山研のホームページがほとんどリンクされていない。これでは入れないだろうな。それにしても、他の研究室も、研究室のホームページと銘打っているのに、教授、助教授からの資料の提出が少ないようで、学生の欄は充実(?)している(いっぱい書いてある)が、教官の方がまだというのが多い。最初は自分で書かなくても良いから、最低限、教員要覧程度の入力はしましょう。学生に任せれば2時間もあれば終わります。ね、教官の皆さん。

H9.5.15

 予算申請の必要性から、研究経歴を書き足した。

現状では、奥山(克)研究室のホームページに画像は取り入れていない。従って、画面が出るのが早い。もっと世の中の環境が整ってきたら、データや画像も取り入れてみたいと考えている。今書いていてふと気になったのだが、文章を保存するときに、アクセスしている人がいたらどうなるのだろう。単なるユーザーの私には分からないな。ははは。

H9.5.7

 研究室のM1の柏葉君のお誘いにホイホイ乗り、自己紹介文を連休前から書き始めた。これにより、大学内と外部の人との交流、企業との連携などが少しでも進めば幸いである。メリットは、とにかく、その日の中に内容の更新が自分でできることである。大学としてこのようなシステムをくむべき時代になっているような気がする。

 奥山(克)研究室の研究内容紹介中で8〜12のテーマを、主として担当・指導している。

                        松下の目次に戻る。


 

4 山形大学工学部の松下をお探し、あるいはお尋ねの場合  


(1) 平日で、あなたが電子メールを使える状態にいらっしゃる場合  メールをお寄せください。 これが一番確実です。通常、朝8時頃には,8号館の1階,8-112号室に居ります。長時間の検討までは必要としないメールであれば、その場で対応しています。技術相談などに関しては、通常回答までに数日かかることがございます。
(2) 平日で、あなたが急を要する場合  0238-26-3281に電話をおかけください。出ない場合には、
松下・奥山研(0238-26-3282)にかけ直しお尋ねください。なお、急を要する場合以外は電話での御連絡はお避けいただければ幸いです。
(3) 米沢の山形大学工学部の松下を訪ねられる場合  松下は、8号館1階の居室8-112号室か,8-111号室に居ります。
城戸研の 山大工(米沢)の地図を参考においでください。
地図には、山形新幹線の時刻表もリンクされています。
8-111号室は地図中の8号館の字のほぼ『8』の位置にあります。
8号館の2つの入口のうち渡り廊下の下の入口からお入りください。
(4) 3時間たってもメールの返事がない場合  0238-26-3281に電話をおかけください。出ない場合には、
松下・奥山研(0238-26-3282)にかけ直しお尋ねください。
(5) 休日の居場所は不定です。  松下は休日には通常休んでおります。
山形市城南町近くの本屋か、
上山市、朝日町、山辺町、天童市などの近場の温泉、あるいは、
杜の都仙台などに出かけてリフレッシュ中です。
申し訳ありませんが平日までお待ちください。メールを入れていただけると,遅くとも月曜日の朝一番に検討できます。ご協力をお願いします。

   松下浩一の目次に戻る。    奥山・松下研メンバー紹介に戻る。    奥山・松下研の目次に戻る。


    お問い合わせは、電子メールでお寄せください。