奥山澄雄7(Okuyama Sumio) 1965年生
助教授
山形大学工学部電気電子工学科
tel: 0238-26-3282 fax: 0238-26-3299
e-mail: sumio@ieee.org
専門分野: 電子材料、電子デバイス工学

研究テーマ
  1. トンネルダイオード水素ガスセンサ
  2. 水素により発光する有機ELデバイス
  3. 片持梁型水素ガスセンサ
教官総覧 研究者総覧
  1. 研究業績
    (1)論文
    1. K. Matsushita, T. Monbara, K. Nakayama, H. Naganuma, S. Okuyama, and K. Okuyama:
      "In-Situ Observation of GaAs Surface in High Vacuum by Contact Angle Measurement",
      Electorn. & Comm. in Japan Part 2 84 (2001) 51.
    2. K. Matsushita, A. Fujisawa, N. Ando, H. Kobayashi, H. Naganuma, S. Okuyama, and K. Okuyama:
      "Characterization of Pure Water-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets",
      J. Electrochem. Soc. 148 (2001) G401.
    3. 松下浩一, 門原拓也,中山健,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎:
      「高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察」,
      電子情報通信学会論文誌C J84-C (2001) 136.
    4. S. Okuyama, Y. Mitobe, K. Okuyama and K. Matsushita:
      "Hydrogen Gas Sensing Using a Pd-Coated Cantilever",
      Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 3584.
    5. J. Bae, R. Ishikawa, S. Okuyama, T. Miyajima, T. Akizuki, T. Okamoto and K. Mizuno:
      "Energy modulation of nonrelativistic electrons with a CO2 laser using a metal microslit",
      Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2292.
    6. 奥山澄雄,立花和宏,田中敦,仁科辰夫,矢作清,猿田一樹,平中幸雄:
      「山形大学シラバス処理システムの稼動状況の分析」,
      山形大学紀要(工学) 26 (2000) 53.
    7. 立花和宏,奥山澄雄,仁科辰夫,田中敦,矢作清,猿田一樹,平中幸雄:
      「実践的見地からのシラバスデータベース開発」,
      山形大学紀要(工学) 26 (2000) 47.
    8. K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama and K. Okuyama:
      "Hydrophobicity of Hydrochloric-Treated GaAs Surface Analyzed by Contact Angle Measurement",
      J. Electrochem. Soc. 145 (1998) 1381.
    9. :
      "Improved Response Time of Al-Al2O3-Pd Tunnel Diode Hydrogen Gas Sensor",
      Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 6905.
    10. S. Okuyama, Y. Ito, T. Sugawara, K. Okuyama, K. Matsushita and J. Kido:
      "Hydrogen-induced light emission from an organic electroluminescent device",
      Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2877.
    11. S. Okuyama, K. Umemoto, K. Okuyama, S. Ohshima and K. Matsushita:
      "Pd/Ni-Al2O3-Al Tunnel Diode as High-Concentration-Hydrogen Gas Sensor",
      Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1228.
    12. K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama and Y. Kumagai:
      "Hydrofluoric-Treated GaAs Surfaces Analyzed by Contact Angle Measurement and Auger Electron Spectroscopy",
      Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 5293.
    13. S. Okuyama, K. Okuyama, N. Takinami, K. Matsushita and Y. Kumagai:
      "Current vs Voltage Characteristics of Al-Al2O3-Pd Tunnel Junction Hydrogen Sensor",
      Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2266.
    14. K. Matsushita, S. Miyazaki, S. Okuyama and Y. Kumagai:
      "Observation of HCl- and HF- Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets",
      Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 4576.
    15. J. Bae, S. Okuyama, T. Akizuki and K. Mizuno:
      "Electron energy modulation with laser light using a small gap circuit. A theoretical consideration",
      Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 331 (1993) 509.
    16. K. Matsushita, R. Chiba, S. Okuyama, and Y. Kumagai:
      "Electrochemical detection of defects in Ge/GaAs structures by an anodic dissolution method under illumination",
      J. Electrochem. Soc. 140 (1993) 2097.
    17. 奥山澄雄:
      「誘電体薄膜を用いたレーザー光と電子との相互作用の研究」,
      東北大学電通談話会記録 58 (1990) 109.

    (2)学会発表
    1. 熊谷智宣,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Nb-Al2O3-Pd MIM トンネルダイオード水素ガスセンサ」,
      第49回応用物理学関係連合講演会 (横浜, 2003.3) 29p-ZM-2.
    2. 奥山澄雄7,高松幸樹,小刀稱淳,菊池正竜,奥山克郎,松下浩一:
      「表面マイクロマシニングによってアレイ化した片持梁型水素ガスセンサ」,
      平成15年電気学会全国大会(仙台, 2003) 3-121.
    3. 奥山澄雄7,大嶋重利,奥山克郎,松下浩一:
      「リフレッシュ理科教室のための教材試作と実践」,
      第14回物理教育に関するシンポジウム (仙台, 2003.3).
    4. 大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-13.
    5. 清野誠人,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「接触角測定法によるフッ酸処理GaAs基板表面の評価」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-12.
    6. 大師和也,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「大気中の水素を検出する無電源水素ガス濃度計の開発」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-11.
    7. 大友正義,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Pt付加と温度変化による片持梁型水素ガスセンサの応答特性」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-10.
    8. 熊谷智宣,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Nbを用いたMIM トンネルダイオード水素ガスセンサの特性改善」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-9.
    9. 奥山澄雄7,柏倉聡,奥山克郎,長沼博,松下浩一,城戸淳二:
      「Pd陰極有機EL水素ガスセンサのLiF薄膜を用いた高輝度化」,
      応用物理学会東北支部第57回学術講演会 (仙台, 2002.12) 5aB5.
    10. 大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「熱処理されたGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1C-9.
    11. 清野誠人,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「接触角測定法によるフッ酸処理GaAs 表面の疎水性の観察」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1C-8.
    12. 石田浩史,立本和也,岩澤晃,小笠原幸穂,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,中野政身:
      「ER流体を用いたマイクロアクチュエータに関する研究」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1G-6.
    13. 大友正義,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「温度を変化させた片持梁型水素ガスセンサの応答特性」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1G-5.
    14. 大師和也,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Pd の膨張を利用した無電源水素ガス圧力計の感度向上」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1G-4.
    15. 熊谷智宣,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Nb-Al2O3-Pd MIM トンネルダイオード水素ガスセンサのI-V特性」,
      平成14年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 2002.8) 1G-3.
    16. 奥山澄雄7:
      「SURF-MICS RUN4に参加して」,
      第7回マイクロマシン集積化チップ標準化協同委員会 (京都, 2002.8).
    17. 奥山澄雄7:
      「Pd/glass梁型水素ガスセンサ」,
      「マイクロセンサとそのプロセス技術の動向」講習会 (東京, 2002.7).
    18. 奥山澄雄7,柏倉聡,香川卓也,奥山克郎,松下浩一,長沼博,城戸淳二:
      「薄いLiF膜挿入によるPd陰極有機EL水素ガスセンサの高輝度化」,
      第49回応用物理学関係連合講演会 (平塚, 2002.3) 30a-ZC-5.
    19. 熊谷智宣,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Nb-Al2O3-Pd MIM トンネルダイオード水素ガスセンサ」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 7aB9.
    20. 大師和也,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Pd の膨張を利用した無電源水素ガス濃度計の開発」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 7aB8.
    21. 大友正義,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Pt付加による片持梁型水素ガスセンサの高性能化」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 7aB7.
    22. 加藤輝雄,中野政身,松下浩一,佐藤聡,奥山澄雄,石田浩史:
      「フォトリソグラフィー法によって製作した分散系ER流体用3ポートマイクロERバルブ」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 6pB11.
    23. 大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「熱処理されたGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 6aB8.
    24. 清野誠人,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一:
      「接触角測定法によるフッ酸処理GaAs 表面の観察」,
      応用物理学会東北支部第56回学術講演会 (米沢, 2001.12) 6aB7.
    25. 奥山澄雄, 大師和也, 大友正義, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「水素吸蔵によるPdの膨張を利用した水素ガス圧力計」,
      第62回応用物理学会学術講演会 (豊田, 2001.9) 11a-ZE-4.
    26. 奥山澄雄, 水戸部勇一, 本田貴則, 奥山克郎, 松下浩一:
      「PdAg/Glass梁型水素ガスセンサ」,
      電気学会全国大会シンポジウム「21世紀を担うセンサ工学とマイクロマシンプロセスへの期待 ―医療応用・環境応用・超伝導応用・プロセス新技術―」 (名古屋, 2001.3)S11-3.
    27. 奥山澄雄, 水戸部勇一, 本田貴則, 奥山克郎, 松下浩一:
      「Pd, Pt薄膜の付加によるPdAg/Glass梁型水素ガスセンサの特性改善」,
      応用物理学会東北支部第55回学術講演会 (仙台, 2000.12) 8aB4.
    28. 香川卓也, 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博, 城戸淳二:
      「Pd陰極有機EL水素ガスセンサのAl2O3薄膜を用いた高輝度化」,
      応用物理学会東北支部第55回学術講演会 (仙台, 2000.12) 7aB4.
    29. 奥山澄雄, 本田貴則, 水戸部勇一, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「PdAg/Glass梁型水素ガスセンサの特性改善」,
      フィジカルセンサ研究会 (米沢, 2000.9) PHS-00-14.
    30. 香川卓也, 奥山澄雄, 奥山克郎, 長沼博, 松下浩一, 城戸淳二:
      「発光によって水素を検知する有機EL素子の高輝度化」,
      フィジカルセンサ研究会 (米沢, 2000.9) PHS-00-13.
    31. 奥山澄雄, 本田貴則, 水戸部勇一, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「表面処理によるPdAg/Glass梁型水素ガスセンサの特性改善」,
      第61回応用物理学会学術講演会 (札幌, 2000.9) 6a-ZQ-8.
    32. 香川卓也, 奥山澄雄, 奥山克郎, 長沼博, 松下浩一, 城戸淳二:
      「薄いAl2O3膜挿入によるPd 陰極有機EL 水素ガスセンサの高輝度化」,
      第61回応用物理学会学術講演会 (札幌, 2000.9) 6a-ZH-6.
    33. 奥山澄雄, 水戸部勇一, 本田貴則, 奥山克郎, 松下浩一:
      「Pd 薄膜の付加によるPdAg/Glass 梁型水素ガスセンサの特性改善」,
      第47回応用物理学関係連合講演会 (東京, 2000.3) 29a-Q-2.
    34. 奥山澄雄, 小橋秀章, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「大気中に保存したPd-MIMトンネルダイオード水素ガスセンサの劣化とその原因」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (仙台, 2000.3) O-13.
    35. 小橋秀章, 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「Pd MIMトンネルダイオード水素ガスセンサの動作機構」,
      応用物理学会東北支部第54回学術講演会 (仙台, 1999.12) 9pA16.
    36. 水戸部勇一, 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「CD用光ピックアップを検出部としたPd片持梁型水素ガスセンサ」,
      応用物理学会東北支部第54回学術講演会 (仙台, 1999.12) 9pB10.
    37. 松下浩一, 門原拓也, 中山健, 佐藤哲夫, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「超高真空中接触角測定によるGaAs表面の『その場』観察」,
      第60回応用物理学会学術講演会 (神戸, 1999.9) 4a-ZF-3.
    38. 松下浩一, 門原拓也, 中山健, 佐藤哲夫, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「超高真空中接触角測定によるGaAs表面の『その場』観察」,
      電子情報通信学会技術研究報告 (仙台, 1999.8) CPM99-50.
    39. 奥山澄雄, 菅野あずさ, 水戸部勇一, 奥山克郎, 松下浩一:
      「Ag添加によるPd/Glass梁型水素ガスセンサの特性改善」,
      第46回応用物理学関係連合講演会 (野田, 1999.3) 29a-YG-4.
    40. 水戸部勇一, 奥山澄雄, 菅野あずさ, 西舘和宏, 奥山克郎, 松下浩一, 長沼博:
      「水素吸収によるPdの膨張を利用した水素ガスセンサ」,
      応用物理学会東北支部第53回学術講演会 (仙台, 1998.12) 11pA15.
    41. 佐藤高広, 三浦敏明, 松下浩一, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「プラズマがGe/GaAsヘテロ接合に及ぼす効果」,
      応用物理学会東北支部第53回学術講演会 (仙台, 1998.12) 11pA3.
    42. 門原拓也, 中山健, 佐藤哲夫, 松下浩一, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「超高真空中に置かれたGaAs基板上Ga液滴の接触角の『その場』観察」,
      応用物理学会東北支部第53回学術講演会 (仙台, 1998.12) 11pA2.
    43. 柏葉安宏, 奥山澄雄, 久保亮一, 奥山克郎, 城戸淳二, 松下浩一:
      「水素で発光する有機EL素子の動作機構」,
      応用物理学会東北支部第53回学術講演会 (仙台, 1998.12) 10aB6.
    44. 吉田薫,佐藤貴之,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,長沼博:
      「Pd MIMトンネルダイオード水素ガスセンサ特性変化の原因」,
      応用物理学会東北支部第53回学術講演会 (仙台, 1998.12) 10aB4.
    45. 松下浩一, 門原拓也, 安藤直克, 藤澤旭, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「接触角測定法によるGaAs基板表面の観察」,
      電気学会 センサ材料・プロセス技術研究会 (室蘭, 1998.9) SMP-98-9.
    46. 奥山澄雄, 水戸部勇一, 西舘和広, 奥山克郎, 松下浩一:
      「水素吸収によるPdの膨張を利用した水素ガスセンサ」,
      第59回応用物理学会学術講演会 (東広島, 1998.9) 17a-ZB-5.
    47. 柏葉安宏, 奥山澄雄, 久保亮一, 奥山克郎, 城戸淳二, 松下浩一:
      「水素で発光する有機EL素子の動作機構」,
      第59回応用物理学会学術講演会 (東広島, 1998.9) 16p-YH-17.
    48. 松下浩一, 安藤直克, 藤澤旭, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「GaAs基板表面の接触角に及ぼす表面あらさの影響」,
      第59回応用物理学会学術講演会 (東広島, 1998.9) 15p-ZK-2.
    49. S. Okuyama, Y. Kashiwaba, Y. Itoh, K. Okuyama, J. Kido and K. Matsushita:
      "Hydrogen-Sensitive Organic Electroluminescent Device",
      繊維学会宮崎基金国際シンポジウム (第13回オプティックとエレクトロニクス有機材料に関するシンポジウム) Miyazaki International Symposium (The 13th Symposium on Optical and Electrical Properties of Organic Materials) (Tokyo, 1998.6) 2A21.
    50. 柏葉安宏, 奥山澄雄, 奥山克郎, 城戸淳二, 松下浩一:
      「有機EL水素ガスセンサーの水素による電流変化」,
      応用物理学会東北支部第52回学術講演会 (仙台, 1997.12) 11pA13.
    51. 奥山澄雄, 伊東靖明, 菅原利幸, 奥山克郎, 城戸淳二, 松下浩一:
      「有機EL水素ガスセンサ」,
      応用物理学会東北支部第52回学術講演会 (仙台, 1997.12) 11pA12.
    52. 長谷川智和, 渡辺正敏, 松下浩一, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎:
      「ハイドロキシアパタイト薄膜に関する基礎研究」,
      応用物理学会東北支部第52回学術講演会 (仙台, 1997.12) 11aB9.
    53. 奥山克郎, 奥山澄雄, 松下浩一, 長沼博:
      「MIMトンネルダイオード水素ガスセンサの開発」,
      第2回山形県産学官研究シンポジウム (新庄, 1997.11).
    54. 奥山澄雄, 菅原利幸, 柏葉安宏, 伊東靖明, 奥山克郎, 城戸淳二, 松下浩一:
      「有機EL水素ガスセンサーの水素による電流変化」,
      第58回応用物理学会学術講演会 (秋田, 1997.10) 5a-ZR-15.
    55. 奥山澄雄, 宇佐美裕丈, 奥山克郎, 山田博之, 松下浩一:
      「Pd MIM水素ガスセンサーの応答時間の改善」,
      第58回応用物理学会学術講演会 (秋田, 1997.10) 3p-ZD-1.
    56. 伊東靖明, 菅原利幸, 奥山澄雄, 城戸淳二, 奥山克郎, 松下浩一:
      「有機EL水素ガスセンサ」,
      第44回応用物理学関係連合講演会 (船橋, 1997.3) 30p-NH-9.
    57. 奥山澄雄, 経澤正和, 奥山克郎, 松下浩一:
      「水素吸着による金属薄膜の仕事関数変化」,
      第44回応用物理学関係連合講演会 (船橋, 1997.3) 29a-ZK-3.
    58. 佐藤秀比古, 高橋亮人, 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一:
      「ケルビン法を用いた水素導入によるPdの仕事関数変化」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (仙台, 1997.2) 14a7.
    59. 奥山澄雄, 経澤正和, 奥山克郎, 松下浩一:
      「水素によるPdの仕事関数変化とPd MIMトンネル素子の特性」,
      日本表面科学会東北支部講演会 (仙台, 1997.2) 14a6.
    60. 経澤正和, 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一:
      「水素導入によるPdの仕事関数変化」,
      応用物理学会東北支部第51回学術講演会 (仙台, 1996.12) 13pA1.
    61. 藤澤旭, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 奥山克郎:
      「低溶存酸素純水によるGaAs表面の清浄化」,
      応用物理学会東北支部第51回学術講演会 (仙台, 1996.12) 13aB5.
    62. 宇佐美裕丈, 奥山澄雄, 大沼学, 奥山克郎, 大嶋重利:
      「Pd MIM水素ガスセンサーの応答時間の改善」,
      応用物理学会東北支部第51回学術講演会 (仙台, 1996.12) 12pA9.
    63. 奥山澄雄, 水谷彰伸, 奥山克郎, 滝浪信介, 大嶋重利:
      「Pd/Ni合金薄膜の水素吸着脱離特性」,
      第57回応用物理学会学術講演会 (博多, 1996.9) 7a-PA-4.
    64. 奥山澄雄, 境泰輝, 奥山克郎, 宇佐美裕丈, 大嶋重利:
      「Pd/Ni MIMダイオードの導電特性」,
      第57回応用物理学会学術講演会 (博多, 1996.9) 7a-PA-3.
    65. 経澤正和、奥山澄雄、山本洋史、奥山克郎、松下浩一、熊谷泰爾:
      「水素導入によるPdの仕事関数変化」,
      第43回応用物理学関係連合講演会 (朝霞, 1996.3) 28a-ZL-7.
    66. 藤澤旭, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「接触角測定法による脱気水処理GaAs表面の評価」,
      第43回応用物理学関係連合講演会 (朝霞, 1996.3) 28a-ZF-2.
    67. 梅本和明, 奥山澄雄, 奥山克郎, 大嶋重利, 神戸士郎:
      「Pd/Ni MIMトンネルダイオード水素ガスセンサー」,
      応用物理学会東北支部第50回学術講演会 (仙台, 1995.12) 20B-9.
    68. 塚本義人, 井内久光, 奥山澄雄, 奥山克郎, 大嶋重利, 神戸士郎:
      「Al-Al2O3-CdS MISトンネルダイオード歪センサー」,
      応用物理学会東北支部第50回学術講演会 (仙台, 1995.12) 20B-8.
    69. 奥山澄雄, 佐藤正浩, 奥山克郎, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「陽極酸化法によるAl-Al2O3-Pd構造トンネル素子」,
      第57回応用物理学会学術講演会 (金沢, 1995.8) 29a-ZL-1.
    70. 梅本和明, 奥山澄雄, 奥山克郎, 大嶋重利, 神戸士郎:
      「Pd/Ni MIMトンネルダイオード高濃度水素ガスセンサー」,
      第57回応用物理学会学術講演会 (金沢, 1995.8) 28p-F-12.
    71. 松下浩一, 鈴木直樹, 長沼博, 奥山澄雄, 熊谷泰爾:
      「HF処理GaAs表面の接触角測定とオージェ電子分光法による観察」,
      第57回応用物理学会学術講演会 (金沢, 1995.8) 28p-ZN-3.
    72. 宮嶋幹, ペイ鐘石, 奥山澄雄, 秋月泰司, 水野皓司:
      「微小間隙回路を用いた電子-光子相互作用の研究」,
      第42回応用物理学関係連合講演会 (平塚, 1995.3) 30p-P-13.
    73. 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「絶縁物に対してクローニッヒ・ペニーモデルを用いた金属-絶縁物-金属トンネル素子の理論解析」,
      第42回応用物理学関係連合講演会 (平塚, 1995.3) 30a-F-8.
    74. 三瓶喜生, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「ECRプラズマ中のGe薄膜成長」,
      第42回応用物理学関係連合講演会 (平塚, 1995.3) 28p-ZY-2.
    75. 宮嶋幹, ペイ鐘石, 奥山澄雄, 秋月泰司, 水野皓司:
      「微小間隙を用いた電子-光子相互作用の研究」,
      応用物理学会東北支部第49回学術講演会 (仙台, 1994.12) 9A-5.
    76. 鈴木直樹, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定によるHF処理GaAs表面の評価」,
      応用物理学会東北支部第49回学術講演会 (仙台, 1994.12) 8B-14.
    77. 奥山澄雄, 奥山克郎, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「絶縁物に対してクローニッヒ・ペニーモデルを用いた金属-絶縁物-金属トンネル素子の理論解析」,
      応用物理学会東北支部第49回学術講演会 (仙台, 1994.12) 8B-11.
    78. 奥山澄雄, 奥山克郎, 滝浪信介, 熊谷秦爾, 松下浩一:
      「Al-Al2O3-Pdトンネル素子の電流・電圧特性」,
      第55回応用物理学会学術講演会 (名古屋, 1994.9) 19a-L-4.
    79. 鈴木直樹, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定によるHF処理GaAs表面の評価」,
      第55回応用物理学会学術講演会 (名古屋, 1994.9) 19a-MF-5.
    80. 松下浩一, 金野雅英, 長沼博, 奥山澄雄, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定による化学処理GaAs表面の観察」,
      第54回応用物理学会学術講演会 (札幌, 1993.9) 27a-SZS-29.
    81. 鈴木直樹, 金野雅英, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定によるGaAs処理面の評価」,
      平成5年度電気関係学会東北支部連合会 (仙台, 1993.9) 2G11.
    82. 佐藤忍, 加川純司, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「硫化アンモニウム処理したGaAs基板上のGe薄膜のホール移動度」,
      平成5年度電気関係学会東北支部連合会 (仙台, 1993.9) 2G10.
    83. 佐藤忍, 加川純司, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水素プラズマ中でのGe薄膜の成長」,
      電気学会プラズマ研究会 (米沢, 1993.8) EP-93-62.
    84. 松下浩一, 金野雅英, 長沼博, 奥山澄雄, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定による化学処理GaAs表面の観察」,
      第40回応用物理学関係連合講演会 (東京, 1993.3) 27a-SZM-6.
    85. 松下浩一, 春谷覚, 佐藤裕幸, 奥山澄雄, 熊谷泰爾:
      「ZnSe薄膜の低温エピタキシャル成長に及ぼす水素プラズマの効果」,
      第53回応用物理学会学術講演会 (吹田, 1992.9) 19a-ZE-2.
    86. 金野雅英, 宮崎周司, 渡辺大太, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「表面処理したGaAs基板表面の接触角測定による評価」,
      平成4年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 1992.8) 2A25.
    87. 加川純司, 佐藤忍, 高橋弘幸, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水素プラズマ照射したGaAs基板上のGe薄膜のホール移動度」,
      平成4年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 1992.8) 2A24.
    88. 小橋厚志, 春谷覚, 佐藤裕幸, 長沼博, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水素プラズマ中でGaAs基板上に低温成長させたZnSe薄膜の格子間隔変化」,
      平成4年度電気関係学会東北支部連合大会 (米沢, 1992.8) 2A23.
    89. 宮崎周司, 渡辺大太, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「水滴粒の接触角測定によるGaAs表面処理面の観察」,
      第39回応用物理学関係連合講演会 (船橋, 1992.3) 30a-SZA-27.
    90. 安積功, 夏目欣英, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「GaAs基板上に成長したCaF2薄膜の結晶性に及ぼす水素プラズマの効果」,
      第52回応用物理学会学術講演会 (岡山, 1991.10) 12a-ZD-7.
    91. K. Matsushita, S. Okuyama, I. Asaka, Y. Natsume and Y. Kumagai:
      "Changes of crystal orientation in CaF2/GaAs Growth by H2 plasma",
      The International Seminar on Reactive Plasmas, (Nagoya, 1991.6) DA-14.
    92. S. Okuyama, K. Matsushita, K. Hasegawa, K. Shio, Y. Ueta and Y. Kumagai:
      "Effects of H2 plasma on a growth of Ge film by plasma-assisted epitaxy",
      The International Seminar on Reactive Plasmas, (Nagoya, 1991.6) DA-13.
    93. 長谷川勝也, 植田靖也, 塩健児, 奥山澄雄, 松下浩一, 熊谷泰爾:
      「PAE法によるGe膜成長におけるH2プラズマの効果」,
      第38回応用物理学関係連合講演会 (平塚, 1991.3) 29p-ZF-2.

  2. 教育活動
    1. 電気電子工学実験I

  3. 共同研究など
    1. 2社

  4. 学会活動
    1. 応用物理学会
    2. 化学センサ研究会
    3. 電気学会


山形大学工学部電子情報工学科7学期(4年前期)実験のテキスト
ディジタル信号処理 (PDF 約400kB) , 配布資料 (PDF 約400kB)
熱電子放出 (PDF 約300kB)
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